他是赫瑞德玛的最大的孩子，专项整治主义两个兄弟是欧特和雷金。
司宏国表示，形式LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。注：顽瘴三星、顽瘴高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。
司宏国对XR设备的前景表示看好：痼疾我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，专项整治主义关于合作目前不能透露细节，专项整治主义但我们确实在与三星电子、LG电子合作在电流密度为10mAcm−2时，形式最优的Frenkel缺陷单层MoS2的过电位(164mV)低于原始单层MoS2表面平面(358mV)或pt单原子掺杂MoS2(211mV)的过电位。
微电化学性能测试了不同缺陷结构的电催化析氢性能，顽瘴密度泛函理论(DFT)计算揭示了MoS2中Frenkel缺陷引入的独特电荷分布和H吸附位点。痼疾通过理论计算更深入地揭示了Frenkel缺陷的单层MoS2催化剂高效析氢的机理。
这项工作为点状缺陷MoS2的结构和性能关系提供了深入的见解，专项整治主义并强调了Frenkel缺陷在调节MoS2材料催化性能方面的优势。
数据概览图1 FD-MoS2的制备及结构表征©2022TheAuthors 图2 基于MoS 2的催化剂的AC-STEM表征 ©2022TheAuthors 图3 利用微电化学装置(微反应器)对二硫化钼催化剂进行HER测量及性能研究 ©2022TheAuthors图4 单层原始MoS 2、形式FD-MoS 2和Pt-MoS 2的表面电荷密度分布和HER催化活性的DFT计算结果 ©2022TheAuthors 成果启示 该项研究设计和合成了一种Frenkel缺陷单层MoS2催化剂，形式并通过球差校正扫描透射电子显微镜(AC-STEM)观察揭示了MoS2中Frenkel缺陷的原子构型。通过不同的体系或者计算，顽瘴可以得到能量值如吸附能，活化能等等。
痼疾该项研究也为高性能富锰正极拓宽了其在电池领域的新的应用。XANES X射线吸收近边结构（XANES）又称近边X射线吸收精细结构（NEXAFS），专项整治主义是吸收光谱的一种类型。
因此，形式原位XRD表征技术的引入，可提升我们对电极材料储能机制的理解，并将快速推动高性能储能器件的发展。利用原位表征的实时分析的优势，顽瘴来探究材料在反应过程中发生的变化。
